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NTD3055L104T4G

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Numero di parte NTD3055L104T4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 247454 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
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Numero di parte NTD3055L104T4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 247454 pcs Scheda dati NTD3055L104
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±15V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 104 mOhm @ 6A, 5V Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 48W (Tj)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi NTD3055L104T4GOSTR temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 15 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)

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