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NTD24N06-1G

NTD24N06-1G
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Numero di parte NTD24N06-1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4573 pcs
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Numero di parte NTD24N06-1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4573 pcs Scheda dati NTD24N06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 42 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 24A (Ta) 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Through Hole I-PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta)

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