NTD20N03L27
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| Numero di parte | NTD20N03L27 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD20N03L27 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5134 pcs | Scheda dati | NTD20N03L27, NVD20N03L27 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 27 mOhm @ 10A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount DPAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
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