NTD14N03R-1G
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| Numero di parte | NTD14N03R-1G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTD14N03R-1G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4693 pcs | Scheda dati | NTD14N03R |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 95 mOhm @ 5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | NTD14N03R-1GOS | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
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