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NTB75N06T4G

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Numero di parte NTB75N06T4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5151 pcs
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Numero di parte NTB75N06T4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5151 pcs Scheda dati NTB,NTP75N06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5 mOhm @ 37.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 214W (Tj)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi NTB75N06T4GOS
NTB75N06T4GOS-ND
NTB75N06T4GOSTR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 75A (Ta) 2.4W (Ta), 214W (Tj) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Ta)

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