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NTB75N03-6T4G

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Numero di parte NTB75N03-6T4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5705 pcs
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Numero di parte NTB75N03-6T4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5705 pcs Scheda dati NTB,NTP75N03-06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5635pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata N-Channel 30V 75A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)

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