NTB6411ANT4G
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| Numero di parte | NTB6411ANT4G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTB6411ANT4G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4219 pcs | Scheda dati | NTB,NTP6411AN |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 72A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 217W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | NTB6411ANT4G-ND NTB6411ANT4GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 77A (Tc) 217W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
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- Parte#:
RL07S112GB14 - Produttori:
Dale / Vishay - Descrizione:
RES 1.1K OHM 1/4W 2% AXIAL - Disponibile:
75591
