NTB5605PT4G
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| Numero di parte | NTB5605PT4G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.248 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NTB5605PT4G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 85451 pcs | Scheda dati | NTB5605(P) |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 140 mOhm @ 8.5A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | NTB5605PT4G-ND NTB5605PT4GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 28 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 60V 18.5A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount D2PAK | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta) |
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