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NSVDTC123JET1G

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Numero di parte NSVDTC123JET1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN 50V 0.1A SC75
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1054318 pcs
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Numero di parte NSVDTC123JET1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN 50V 0.1A SC75 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1054318 pcs Scheda dati MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SC-75, SOT-416 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 200mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SC-75, SOT-416 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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