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NSVDTA114YM3T5G

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Numero di parte NSVDTA114YM3T5G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1195843 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NSVDTA114YM3T5G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1195843 pcs Scheda dati MUN(2,5)114, MMUN2114L, DTA114Yxx, NSBA114YF3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SOT-723 Serie Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potenza - Max 260mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-723 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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