NSVBC114YPDXV65G
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| Numero di parte | NSVBC114YPDXV65G |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | NSVBC114YPDXV65G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4657 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563 | Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms | Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Potenza - Max | 500mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | - | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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ADL5570ACPZ-R7 - Produttori:
ADI (Analog Devices, Inc.) - Descrizione:
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