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NSS40200UW6T1G

NSS40200UW6T1G
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Numero di parte NSS40200UW6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 157980 pcs
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Numero di parte NSS40200UW6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 157980 pcs Scheda dati NSS40200UW6T1G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 20mA, 2A Tipo transistor PNP
Contenitore dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2) Serie -
Potenza - Max 875mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad Altri nomi NSS40200UW6T1G-ND
NSS40200UW6T1GOSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 140MHz Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 2A 140MHz 875mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 2A Numero di parte base NSS40200

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