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NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G
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Numero di parte NSS1C200MZ4T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 100V 2A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 167948 pcs
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Numero di parte NSS1C200MZ4T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 100V 2A SOT223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 167948 pcs Scheda dati NSS1C200MZ4
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A Tipo transistor PNP
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 Serie -
Potenza - Max 800mW imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA Altri nomi NSS1C200MZ4T1GOSCT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 120MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 800mW Surface Mount SOT-223 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 2A
Numero di parte base NSS1C200

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