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NSBA123JDXV6T1G

NSBA123JDXV6T1G
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Numero di parte NSBA123JDXV6T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5640 pcs
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Numero di parte NSBA123JDXV6T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5640 pcs Scheda dati NSBA114EDXV6T1,5 Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 500mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 Altri nomi NSBA123JDXV6T1GOS
NSBA123JDXV6T1GOS-ND
NSBA123JDXV6T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base NSBA1*

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