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NJVMJD44H11T4G-VF01

NJVMJD44H11T4G-VF01
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Numero di parte NJVMJD44H11T4G-VF01
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 160905 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NJVMJD44H11T4G-VF01 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 160905 pcs Scheda dati MJD4xH11,NJVMJD4xH11
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A Tipo transistor NPN
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Potenza - Max 1.75W imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Altri nomi NJVMJD44H11T4G-VF01OSCT
NJVMJD44H11T4GOSCT
NJVMJD44H11T4GOSCT-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 25 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione 85MHz
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA Corrente - collettore (Ic) (max) 8A

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