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NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G
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Numero di parte NGTG20N60L2TF1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 64770 pcs
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Numero di parte NGTG20N60L2TF1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 40A 64W TO-3PF Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 64770 pcs Scheda dati NGTG20N60L2TF1G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.65V @ 15V, 20A Condizione di test 300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 60ns/193ns di scambio energetico -
Serie - Potenza - Max 64W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack
Altri nomi NGTG20N60L2TF1GOS temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard Tipo IGBT -
carica gate 84nC Descrizione dettagliata IGBT 600V 40A 64W Through Hole
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 105A Corrente - collettore (Ic) (max) 40A

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