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NGTB20N60L2TF1G

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Numero di parte NGTB20N60L2TF1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 20A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 41025 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte NGTB20N60L2TF1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 20A TO3PF Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 41025 pcs Scheda dati NGTB20N60L2TF1G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.65V @ 15V, 20A Condizione di test 300V, 20A, 30 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 60ns/193ns di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF-3 Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 70ns Potenza - Max 64W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3PFM, SC-93-3
temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT - carica gate 84nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 40A 64W Through Hole TO-3PF-3 Corrente - collettore Pulsed (Icm) 80A
Corrente - collettore (Ic) (max) 40A

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