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NGB8204NT4G

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Numero di parte NGB8204NT4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 430V 18A 115W D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5210 pcs
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Numero di parte NGB8204NT4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 430V 18A 115W D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5210 pcs Scheda dati NGB8204N, AN
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 430V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 4V, 15A Condizione di test -
Td (on / off) @ 25 ° C - di scambio energetico -
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK Serie -
Potenza - Max 115W imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Logic
Tipo IGBT - Descrizione dettagliata IGBT 430V 18A 115W Surface Mount D2PAK
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 50A Corrente - collettore (Ic) (max) 18A
Numero di parte base NGB8204

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