NDPL180N10BG
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| Numero di parte | NDPL180N10BG |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | NDPL180N10BG | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5648 pcs | Scheda dati | NDPL180N10B |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3 mOhm @ 15V, 50A | Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 200W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | NDPL180N10BGOS | temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6950pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Ta) |
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