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NDD03N40ZT4G

NDD03N40ZT4G
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Numero di parte NDD03N40ZT4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5279 pcs
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Numero di parte NDD03N40ZT4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5279 pcs Scheda dati NDD03N40Z, NDT03N40Z
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4 Ohm @ 600mA, 10V Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 400V
Descrizione dettagliata N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount DPAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A (Tc)

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