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MUN5213DW1T1G

MUN5213DW1T1G
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Numero di parte MUN5213DW1T1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2727492 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
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Numero di parte MUN5213DW1T1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2727492 pcs Scheda dati MUN5213DW1, NSBC144EDxx
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Altri nomi MUN5213DW1T1GOSTR
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA Numero di parte base MUN52**DW1T

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