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MUN2213JT1G

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Numero di parte MUN2213JT1G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5422 pcs
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Numero di parte MUN2213JT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5422 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SC-59 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 338mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA
Numero di parte base MUN2213

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