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MTD6N20ET4G

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Numero di parte MTD6N20ET4G
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5573 pcs
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Numero di parte MTD6N20ET4G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 6A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5573 pcs Scheda dati MTD6N20E
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 700 mOhm @ 3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi MTD6N20ET4GOSCT temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)

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