MTD10N10ELT4
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| Numero di parte | MTD10N10ELT4 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | MTD10N10ELT4 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 4581 pcs | Scheda dati | MTD10N10EL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 220 mOhm @ 5A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Ta), 40W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | MTD10N10ELT4OSCT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
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