KSD261GBU
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| Numero di parte | KSD261GBU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | KSD261GBU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS NPN 20V 0.5A TO-92 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4765 pcs | Scheda dati | KSD261 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 20V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 500mA | Tipo transistor | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 | Serie | - |
| Potenza - Max | 500mW | imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frequenza - transizione | - |
| Descrizione dettagliata | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 | Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) | Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
| Numero di parte base | KSD261 |
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