J113_D26Z
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| Numero di parte | J113_D26Z |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | J113_D26Z | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5593 pcs | Scheda dati | J111-13, MMBFJ111-13 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id | 500mV @ 1µA |
| Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) | 35V | Contenitore dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Serie | - | Resistenza - RDS (on) | 100 Ohms |
| Potenza - Max | 625mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Tipo FET | N-Channel | Descrizione dettagliata | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) | 2mA @ 15V | Numero di parte base | J113 |
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