HUFA76609D3ST_F085
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| Numero di parte | HUFA76609D3ST_F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUFA76609D3ST_F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5337 pcs | Scheda dati | HUFA76609D3ST_F085 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-252AA | Serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 160 mOhm @ 10A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 49W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
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