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Numero di parte HUFA76413DK8T-F085
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 62917 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte HUFA76413DK8T-F085 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 62917 pcs Scheda dati HUFA76413DK8T_F085
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 49 mOhm @ 5.1A, 10V Potenza - Max 2.5W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi HUFA76413DK8T_F085
HUFA76413DK8T_F085-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A

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