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HUFA75639S3S

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Numero di parte HUFA75639S3S
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5544 pcs
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Numero di parte HUFA75639S3S fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5544 pcs Scheda dati HUFA75639G3, P3, S3S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 25 mOhm @ 56A, 10V Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)

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