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HUF76609D3

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Numero di parte HUF76609D3
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5223 pcs
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Numero di parte HUF76609D3 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5223 pcs Scheda dati HUF76609D3, HUF76609D3S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-251AA Serie UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-251AA Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

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