HUF75531SK8T
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| Numero di parte | HUF75531SK8T |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.222 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF75531SK8T | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 84154 pcs | Scheda dati | HUF75531SK8 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP | Serie | UltraFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1210pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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