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HUF75329G3

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Numero di parte HUF75329G3
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 49A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4125 pcs
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Numero di parte HUF75329G3 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 49A TO-247 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4125 pcs Scheda dati HUF75329G3, P3, S3S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 Serie UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 24 mOhm @ 49A, 10V Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 20V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione dettagliata N-Channel 55V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Tc)

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