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HUF75309T3ST

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Numero di parte HUF75309T3ST
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 160753 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte HUF75309T3ST fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 160753 pcs Scheda dati MA04A Pkg DrawingHUF75309T3ST
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 352pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione dettagliata N-Channel 55V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)

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