HUF75307T3ST
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| Numero di parte | HUF75307T3ST |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | HUF75307T3ST | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4097 pcs | Scheda dati | MA04A Pkg DrawingHUF75307T3ST |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223-4 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 20V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 2.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
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