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FQU4N50TU-WS

FQU4N50TU-WS
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Numero di parte FQU4N50TU-WS
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 88367 pcs
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Numero di parte FQU4N50TU-WS fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 88367 pcs Scheda dati FQU4N50TU_WS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi FQU4N50TU_WS
FQU4N50TU_WS-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)

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