FQU13N06LTU
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| Numero di parte | FQU13N06LTU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.386 | $0.343 | $0.271 | $0.21 | $0.166 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQU13N06LTU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 127392 pcs | Scheda dati | FQD13N06L, FQU13N06L |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 115 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 5 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
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