FQPF9P25YDTU
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| Numero di parte | FQPF9P25YDTU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET P-CH 250V 6A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 800 pcs | 1600 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.993 | $0.896 | $0.72 | $0.506 | $0.464 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQPF9P25YDTU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 250V 6A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 83135 pcs | Scheda dati | FQPF9P25YDTU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 620 mOhm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 250V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
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