FQPF7N65CYDTU
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| Numero di parte | FQPF7N65CYDTU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 800 pcs | 1600 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.929 | $0.84 | $0.675 | $0.474 | $0.435 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQPF7N65CYDTU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 88999 pcs | Scheda dati | FQPF7N65C |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
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