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FQPF47P06YDTU

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Numero di parte FQPF47P06YDTU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 44039 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs800 pcs1600 pcs
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Numero di parte FQPF47P06YDTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 44039 pcs Scheda dati FQPF47P06
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming) Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 26 mOhm @ 15A, 10V Dissipazione di potenza (max) 62W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata P-Channel 60V 30A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

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