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FQPF28N15

FQPF28N15
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Numero di parte FQPF28N15
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5954 pcs
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Numero di parte FQPF28N15 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5954 pcs Scheda dati FQPF28N15
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 90 mOhm @ 8.35A, 10V Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione dettagliata N-Channel 150V 16.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16.7A (Tc)

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