FQNL1N50BBU
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| Numero di parte | FQNL1N50BBU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQNL1N50BBU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4513 pcs | Scheda dati | FQNL1N50B |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-92L | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 9 Ohm @ 135mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 270mA (Tc) |
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