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Numero di parte FQI9N15TU
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4394 pcs
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Numero di parte FQI9N15TU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4394 pcs Scheda dati FQB9N15, FQI9N15
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione dettagliata N-Channel 150V 9A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

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