FQI12N60TU
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| Numero di parte | FQI12N60TU |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQI12N60TU | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4482 pcs | Scheda dati | FQB12N60, FQI12N60 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 700 mOhm @ 5.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Tc) |
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