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FQD4N20TM

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Numero di parte FQD4N20TM
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 169302 pcs
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Numero di parte FQD4N20TM fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 169302 pcs Scheda dati FQD4N20, FQU4N20D-PAK Tape and Reel Data
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi FQD4N20TM-ND
FQD4N20TMFSTR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione dettagliata N-Channel 200V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)

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