FQD12N20LTM-F085
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| Numero di parte | FQD12N20LTM-F085 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.294 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQD12N20LTM-F085 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 79793 pcs | Scheda dati | FQD12N20L, FQU12N20LD-PAK Tape and Reel Data |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak | Serie | Automotive, AEC-Q101, QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | FQD12N20LTM_F085 FQD12N20LTM_F085-ND FQD12N20LTM_F085P |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V | Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
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