FQA8N80C_F109
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| Numero di parte | FQA8N80C_F109 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQA8N80C_F109 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5850 pcs | Scheda dati | FQA8N80C_F109 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PN | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 220W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 8.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-3PN | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8.4A (Tc) |
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