FQA6N90_F109
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| Numero di parte | FQA6N90_F109 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQA6N90_F109 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4993 pcs | Scheda dati | FQA6N90_F109 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PN | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 198W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | FQA6N90-F109 FQA6N90-F109-ND Q3402555 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 900V | Descrizione dettagliata | N-Channel 900V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.4A (Tc) |
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