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FQA28N50_F109

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Numero di parte FQA28N50_F109
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5303 pcs
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Numero di parte FQA28N50_F109 fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5303 pcs Scheda dati FQA28N50
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 160 mOhm @ 14.2A, 10V Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5600pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 500V
Descrizione dettagliata N-Channel 500V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28.4A (Tc)

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