FQA13N80-F109
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| Numero di parte | FQA13N80-F109 |
|---|---|
| fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | 1350 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.284 | $2.04 | $1.51 | $1.224 | $1.142 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FQA13N80-F109 | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 27310 pcs | Scheda dati | FQA13N80-F109 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PN | Serie | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 750 mOhm @ 6.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | FQA13N80_F109 FQA13N80_F109-ND FQA13N80_F109FS FQA13N80_F109FS-ND FQA13N80F109 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 17 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12.6A (Tc) |
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