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FGB30N6S2DT

FGB30N6S2DT
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Numero di parte FGB30N6S2DT
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4487 pcs
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Numero di parte FGB30N6S2DT fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO263AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4487 pcs Scheda dati FG(H/P/B)30N6S2D
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.5V @ 15V, 12A Condizione di test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 6ns/40ns di scambio energetico 55µJ (on), 100µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 46ns Potenza - Max 167W
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT - carica gate 23nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB Corrente - collettore Pulsed (Icm) 108A
Corrente - collettore (Ic) (max) 45A Numero di parte base FGB30N6

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